Stromverstärkung β
Gleichstromverstärkung des Bipolartransistors: β = I_C / I_B. Verhältnis von Kollektor- zu Basisstrom im aktiven Bereich.
Stromverstärkung β berechnen
Gleichstromverstärkung des Bipolartransistors: β = I_C / I_B. Verhältnis von Kollektor- zu Basisstrom im aktiven Bereich.
- beta — Stromverstärkung
- I_C — Kollektorstrom
- I_B — Basisstrom
Worum geht es?
Die Gleichstromverstärkung β (auch h_FE) beschreibt, wie stark ein bipolarer Transistor (BJT) den Basisstrom in einen Kollektorstrom übersetzt. Sie ist das zentrale Kennmaß für die Dimensionierung jeder Verstärker- oder Schalterstufe.
Im aktiven Bereich gilt streng linear: ein kleiner Basisstrom I_B steuert einen β-mal größeren Kollektorstrom I_C. Typische Werte für Kleinsignaltransistoren liegen bei β ≈ 100 … 500, hängen aber stark von Exemplar, Temperatur und Arbeitspunkt ab.
Die Formel
β = I_C / I_B
Umstellungen:
I_C = β · I_B
I_B = I_C / βDie Variablen
| Symbol | Bedeutung | Einheit | Erklärung |
|---|---|---|---|
| β | Stromverstärkung | — | Gleichstromverstärkungsfaktor (h_FE). |
| I_C | Kollektorstrom | A | Strom durch den Kollektor im Arbeitspunkt. |
| I_B | Basisstrom | A | Steuerstrom in die Basis. |
Minimal-Beispiel
Ein BC547 zeigt bei I_B = 20 µA einen Kollektorstrom von 4 mA.
β = I_C / I_B
= 0,004 A / 0,000 020 A
= 200Praxis-Beispiele
Beispiel 1 — Basisstrom für gewünschten Kollektorstrom
Ein Schalttransistor mit β = 150 soll I_C = 300 mA führen.
I_B = I_C / β
= 0,3 A / 150
= 0,002 A = 2 mAIn der Praxis wird I_B im Sättigungsbetrieb deutlich höher gewählt (Übersteuerungsfaktor 2 … 5), damit U_CE,sat sicher erreicht wird.
Beispiel 2 — Kollektorstrom aus Basisstrom
Ein Vorverstärker mit β = 220 erhält I_B = 50 µA.
I_C = β · I_B
= 220 · 0,000 050 A
= 0,011 A = 11 mABeispiel 3 — Streuung zwischen Exemplaren
Zwei Transistoren desselben Typs werden mit I_B = 10 µA betrieben.
I_C,A = 100 · 10 µA = 1,0 mA
I_C,B = 400 · 10 µA = 4,0 mAAllein deshalb wird in stabilen Schaltungen nicht über I_B, sondern über eine Spannungsteiler-Vorspannung mit Emittergegenkopplung dimensioniert — der Arbeitspunkt wird dadurch weitgehend unabhängig von β.