/ Elektrotechnik

Transistor (BJT)

Stromverstärkung β, Arbeitspunkt U_CE, Emitter- und Kollektorwiderstand — die Kernformeln zum Dimensionieren eines bipolaren Transistors in Emitterschaltung.

4 Rechner in dieser Kategorie, jeweils mit automatischer Variablen-Umstellung.

E01

Stromverstärkung β

Gleichstromverstärkung des Bipolartransistors: β = I_C / I_B. Verhältnis von Kollektor- zu Basisstrom im aktiven Bereich.

E02

Arbeitspunkt (Kollektor-Emitter)

Kollektor-Emitter-Spannung im Arbeitspunkt: U_CE = U_CC − I_C · R_C. Beschreibt die Lage des Arbeitspunkts auf der Lastgeraden.

E03

Emitterwiderstand

Emitterwiderstand aus Emitterspannung und Emitterstrom: R_E = U_E / I_E. Gegenkopplung zur Stabilisierung des Arbeitspunkts.

E04

Kollektorwiderstand

Kollektorwiderstand aus dem Arbeitspunkt: R_C = (U_CC − U_CE) / I_C. Bestimmt die Steilheit der Lastgeraden.